[发明专利]一种Sb基柔性薄膜温差电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201610330440.2 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN105932150A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 范平;郑壮豪;梁广兴;罗景庭;张东平;钟爱华;李甫 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/18 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种Sb基柔性薄膜温差电池及其制造方法，制造方法包括步骤：A、采用磁控共溅射技术，在第一柔性衬底上制备P型ZnSb热电薄膜；以及采用磁控共溅射技术，在第二柔性衬底上制备N型CoSb热电薄膜；B、在P型ZnSb热电薄膜上镀制第一电极层；在N型CoSb热电薄膜上镀制第二电极层；C、采用导电铝箔连接P型ZnSb热电薄膜上的第一电极层和N型CoSb热电薄膜上的第二电极层。本发明具有如下优点：1、制备方法流程简单，可大面积生产。2、选用材料成本低，可简单制造成本。3、制备出的温差电池性能优越，可大规模的推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sb 柔性 薄膜 温差 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Sb基柔性薄膜温差电池的制造方法，其特征在于，包括步骤：A、采用磁控共溅射技术，在第一柔性衬底上制备P型ZnSb热电薄膜；以及采用磁控共溅射技术，在第二柔性衬底上制备N型CoSb热电薄膜；B、在P型ZnSb热电薄膜的两端镀制第一电极层；在N型CoSb热电薄膜的两端镀制第二电极层；C、采用导电铝箔连接P型ZnSb热电薄膜一端的第一电极层和N型CoSb热电薄膜一端的第二电极层，并在P型ZnSb热电薄膜另一端的第一电极层和N型CoSb热电薄膜另一端的第二电极层引出电极。
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