[发明专利]一种混合多芯平面光波导的结构及其耦合结构和耦合方法有效

专利信息
申请号: 201610327114.6 申请日: 2016-05-17
公开(公告)号: CN105759343B 公开(公告)日: 2018-03-02
发明(设计)人: 陈奔;梁雪瑞;朱虎;胡百泉;张玓;刘成刚;周日凯;付永安;孙莉萍;马卫东;余向红 申请(专利权)人: 武汉电信器件有限公司
主分类号: G02B6/00 分类号: G02B6/00;G02B6/26
代理公司: 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)44341 代理人: 何婷
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及光波导耦合技术领域,提供了一种混合多芯平面光波导的结构及其耦合结构和耦合方法。其中,平面光波导内包括用于传递光信号的二氧化硅主波导,以及辅助进光的副波导;副波导包括氮化硅副波导,氮化硅副波导紧贴着二氧化硅主波导。本发明实施例提出的混合多芯波导是指在PLC的激光器接口端加上二氧化硅主波导以外的氮化硅/二氧化硅副波导,形成混合多芯波导,改善耦合效率和对位容差。由于氮化硅波导的数值孔径NA较高,收光能力比二氧化硅波导强。混合多芯波导的作用相当于附加了收光更强的进光口,在经过一段过渡后所有的副波导消失,从而使得从附加进光口进入的光,通过波导平行耦合的方式汇入主波导,达到改善耦合效率和对位容差的目的。
搜索关键词: 一种 混合 平面 波导 结构 及其 耦合 方法
【主权项】:
一种混合多芯平面光波导的结构,其特征在于,所述结构包括,具体的:所述平面光波导内包括用于传递光信号的二氧化硅主波导,以及辅助进光的副波导;所述副波导包括氮化硅副波导,所述氮化硅副波导紧贴着二氧化硅主波导;所述副波导还包括二氧化硅副波导,氮化硅副波导和二氧化硅副波导均由过渡部分和锥体部分构成,过渡部分是一向光传输方向延伸的矩形立方体;锥体部分为底面与所述过渡部分衔接,锥顶向光传输方向延伸的结构;其中,氮化硅副波导位于二氧化硅主波导的上表面,所述二氧化硅副波导位于二氧化硅主波导的上表面,并且覆盖于所述氮化硅副波导之上。
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