[发明专利]一种黑色绝缘薄膜元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610326534.2 申请日: 2016-05-17
公开(公告)号: CN105970165A 公开(公告)日: 2016-09-28
发明(设计)人: 籍龙占;王国昌;谢丑相;吴历清;张晓岚 申请(专利权)人: 杭州朗旭新材料科技有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/08;C23C14/02;C23C16/40;C23C16/02
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 韩介梅;万尾甜
地址: 310051 浙江省杭州市滨*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种黑色绝缘薄膜元件及其制造方法。该黑色绝缘薄膜元件包括基体衬底和设置于其表面的黑色绝缘薄膜层,所述黑色绝缘薄膜透光率小于0.1%,薄膜方块电阻大于300M欧,为Ni、Fe、Cu或Al中一种金属的氧化物或多种金属氧化物的任意组合。其制备方法是在洁净的基体衬底上采用PVD真空镀膜或CVD镀膜工艺制备获得。本发明制备得到的薄膜相比丝印油墨法制备的涂层,薄膜的台阶覆盖性好,良率高,材料省。并且所制得的黑色绝缘薄膜厚度小于0.5μm就可达到透光率小于0.1%和薄膜方块电阻大于300M欧的特性,外观光亮。并且该种方法制备过程节能环保,原材料无毒无害,成本低廉,易于大规模生产。
搜索关键词: 一种 黑色 绝缘 薄膜 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种黑色绝缘薄膜元件,包括基体衬底和设置于其表面的黑色绝缘薄膜层,其特征在于:所述的基体衬底为需镀膜的元件,其材料为金属、玻璃、陶瓷、高分子聚合物、或复合材料;所述的黑色绝缘薄膜层包含镍、铁、铜或铝中任一种金属的氧化物,或几种金属氧化物的任意组合;所述的黑色绝缘薄膜层的透光率小于0.1%,薄膜的方块电阻大于300兆欧;
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州朗旭新材料科技有限公司,未经杭州朗旭新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610326534.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top