[发明专利]一种无污染破碎清洗硅料的方法

摘要

本发明涉及多晶硅技术领域，公开了一种无污染破碎清洗硅料的方法，该方法通过清洗‑晾干‑水淬‑清洗‑人工破碎‑分选‑清洗‑烘干‑装料‑密封‑净洁等工艺流程。在硅料破碎清洗过程中，通过对破碎、清洗整套工艺流程的控制，实现硅料无污染破碎、清洗的目的。

主权项

一种无污染破碎清洗硅料的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硅原料进行表面超声波清洗20‑40min，超声功率为4KW‑6KW，频率为2000‑2800Hz；(2)将清洗完的硅料放置在硅料小车上晾干或烘干；(3)将晾干的硅料中加热至600℃‑1000℃，升温速率是10‑20℃/min，在高温600℃‑1000℃时，保持时间0.5‑2h使用长钩拉出硅料并快速置于冷却水中，出舱后入水操作时间限制在2min以内，并在水底降温5‑10min后取出硅料；(4)将水淬后表面存在裂纹的硅料置于清水中超声清洗5‑10min，去除水淬过程中硅料表面沾染的杂质，超声功率为2KW‑4KW，频率为2000‑2800Hz；(5)将清洗后的硅料转移到干净无尘的破碎间中，将有裂纹的硅料进行硅料对碰破碎，破碎尺寸单维度在40mm‑100mm；(6)将分选合格的硅料超声清洗时间在10min‑20min，超声功率为2KW‑3KW，频率为2000‑2800Hz；(7)烘干，温度为105‑120℃，烘干时间2‑4h。