[发明专利]一种软/硬磁交换耦合结构在审
| 申请号： | 201610308998.0 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN106024030A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 陆海鹏;侯志华;毕美;王昕;谢建良;邓龙江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G11B5/667 | 分类号： | G11B5/667 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁性材料与元器件领域，具体涉及一种软/硬磁交换耦合结构。本发明通过将现有嵌入型软/硬磁交换耦合结构中的硬磁材料分为两部分且由软磁材料层隔离形成新的软/硬磁交换耦合结构，通过微磁学模拟可见该结构能够有效降低高磁晶各向异性常数材料的矫顽力，且矩形度较好。本发明结构通过规则间隔排列应用于磁存储中，且对于磁晶各向异性常数Ku值高达7×106J/m3的材料，能够有效降低矫顽力，且矩形度较好，能够满足垂直磁记录的要求并能解决写入困难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交换 耦合 结构 | ||
【主权项】：
一种软/硬磁交换耦合结构，由硬磁材料和软磁材料层构成，其特征在于：所述硬磁材料等分为上下两部分，总厚度为10‑20nm，其之间由一层2‑8nm厚软磁材料层隔断；硬磁材料的四周包裹一层2‑6nm厚的软磁材料层，其上下面择一面包裹一层2‑8nm厚的软磁材料层，并且上述3种情况的软磁材料层连成一个整体。
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