[发明专利]基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610301900.9 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN105914445B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 俞文杰;费璐;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00;H01P3/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法，所述制备方法包括：1）制备绝缘体上硅衬底，包括依次层叠的底层硅、绝缘层及顶层硅，所述绝缘层的下部于对应于制备射频共面波导元件的位置具有至少直至所述底层硅的凹槽；2）定义器件区域，并去除器件区域的顶层硅，露出下方所述绝缘层的上部表面；3）制备射频共面波导元件。本发明基于图形化的绝缘体上硅衬底，通过后期刻蚀得到了具有衬底空腔的共面波导，空腔结构中的空气介质使得衬底的等效电容减小、等效电阻增大，消除了SiO2中的固定电荷、可动电荷，Si/SiO2系统的界面态、陷阱电荷等影响微波传输的不利因素，从而减小了介质损耗，提高了共面波导的传输性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 绝缘体 衬底 射频 波导 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：步骤1)，制备绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括依次层叠的底层硅、绝缘层及顶层硅，所述绝缘层的下部于对应于制备射频共面波导元件的位置具有至少直至所述底层硅的若干凹槽，所述若干凹槽之间具有支撑结构，所述绝缘层包括第一绝缘层及第二绝缘层，所述绝缘层的下部即所述第二绝缘层；步骤2)，通过掩膜光刻于与所述若干凹槽的对应位置定义器件区域，并刻蚀去除器件区域的顶层硅，露出下方所述绝缘层的上部表面；步骤3)，基于CMOS工艺在器件区域制备射频共面波导元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610301900.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
