[发明专利]碳量子点负载的SnS2纳米片、其制备方法及应用

摘要

本发明涉及一种碳量子点负载的SnS₂纳米片、其制备方法及应用，属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明通过将SnS₂纳米片浸入碳源的溶液中，然后用高温裂解法在SnS₂纳米片表面生成C量子点，制备得到碳量子点负载的SnS₂纳米片，生成的碳量子点负载的SnS₂纳米片之间联络成纳米墙，C量子点大小5～20nm，利用C量子点附着的方法避免了光解水过程中的氧化腐蚀，同时提升了催化剂效率，以KIO₃为牺牲剂，制氧速率到达了1.1mmol/g·h。本发明的方法具有制备工艺简单、操作方便、速度快以及绿色环保的优点，制备过程中不使用和产生毒性与腐蚀性的气体，具有广阔的应用前景。

主权项

1.一种碳量子点负载的SnS2纳米片，其特征在于，包括SnS2纳米片以及负载在SnS2纳米片表面的碳量子点；所述碳量子点负载的SnS2纳米片通过如下方法制备得到：(1)将基底置入含15～35mM的四氯化锡，以及50～80mM的硫代乙酰胺的乙醇溶液中，于60～80℃水热反应6～12h，洗涤、干燥，得到生长在FTO玻璃上的SnS2纳米片；(2)将步骤(1)得到的生长在基底上的SnS2纳米片浸入0.4～1.5M的碳源的溶液中2～5h，取出，晾干；其中，所述碳源的溶液中的溶剂为体积比(1～3):1的乙醇和水的混合物；(3)将步骤(2)得到的生长有SnS2纳米片的基底置于管式反应炉的中心温区，用Ar清洗石英管后，将炉温升高到300～500℃，真空退火1～3h，冷却，得到碳量子点负载的SnS2纳米片；所述碳源为葡萄糖、蔗糖、麦芽糖或甘油醛中的任意一种或至少两种的混合物。