[发明专利]功率因数校正PFC电路及其电流采样装置有效
申请号: | 201610291003.4 | 申请日: | 2016-05-04 |
公开(公告)号: | CN105846667B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 张亮;刘学超;赫文强;阮胜超 | 申请(专利权)人: | 深圳市鹏源电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/42 | 分类号: | H02M1/42 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 518034 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种功率因数校正PFC及其电流采样装置,PFC电路包括第一MOS管至第四MOS管和驱动控制装置,电流采样装置包括:电流互感器,其具有第一原边绕组、第二原边绕组和副边绕组,第一原边绕组连接在第一MOS管与第三MOS管之间,第二原边绕组连接在第二MOS管与第四MOS管之间,副边绕组用于感应第一原边绕组或第二原边绕组的电流以生成感应电流;检测模块,其第一输入端和第二输入端分别与副边绕组的两端相连,其输出端与驱动控制装置相连,检测模块用于根据感应电流生成电流检测信号,以使驱动控制装置根据电流检测信号对PFC电路进行控制,从而仅需要一个电流互感器即可实现正负半周的电流采样,简化了电路结构,降低了电路成本,提高了系统的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 功率因数 校正 pfc 电路 及其 电流 采样 装置 | ||
【主权项】:
1.一种功率因数校正PFC电路的电流采样装置,其特征在于,所述PFC电路包括第一MOS管至第四MOS管和驱动控制装置,所述第一MOS管的漏极与所述第三MOS管的源极相连,所述第三MOS管的漏极与所述第四MOS管的漏极相连,所述第四MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极相连,所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的源极相连后接地,所述驱动控制装置与所述第一MOS管至第四MOS管的栅极分别相连,所述驱动控制装置用于分别控制所述第一MOS管至第四MOS管开通或关断,所述电流采样装置包括:电流互感器,所述电流互感器具有第一原边绕组、第二原边绕组和副边绕组,所述第一原边绕组连接在所述第一MOS管与所述第三MOS管之间,所述第二原边绕组连接在所述第二MOS管与所述第四MOS管之间,所述副边绕组用于感应所述第一原边绕组或所述第二原边绕组的电流以生成感应电流;检测模块,所述检测模块的第一输入端与所述副边绕组的一端相连,所述检测模块的第二输入端与所述副边绕组的另一端相连,所述检测模块的输出端与所述驱动控制装置相连,所述检测模块用于根据所述感应电流生成电流检测信号,以使所述驱动控制装置根据所述电流检测信号对所述PFC电路进行控制;其中,所述第一原边绕组的一端与所述第三MOS管的源极相连,所述第一原边绕组的另一端与所述第一MOS管的漏极和交流电源的火线相连,所述第二原边绕组的一端与所述第二MOS管的漏极相连,所述第二原边绕组的另一端与所述第四MOS管的源极和交流电源的零线相连;所述第一原边绕组的另一端与所述第二原边绕组的另一端为同名端。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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