[发明专利]离子注入层版图的光学修正方法

摘要

本发明提供了一种离子注入层版图的光学修正方法，包括：建立一系列包含有源区图形和离子注入层图形的测试图形，根据测试图形得到有源区图形线宽对有源区图形到离子注入层图形的距离的影响曲线；根据影响曲线并结合所要建立的OPC修正模型的数据，得到有源区对离子注入层的影响函数；将影响函数植入OPC修正模型中，且作为OPC修正模型的一部分与OPC修正方程相对应；根据影响函数得到有源区对离子注入层的影响框；并且计算得到影响框内的有源区的边长对离子注入层的光强影响数据；根据光强影响数据和OPC模型数据得到新的OPC模型，将新的OPC模型植入OPC修正方程对离子注入层版图进行修正，本发明提高了离子注入层版图OPC修正的准确性。

主权项

1.一种离子注入层版图的光学修正方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：建立一系列包含有源区图形和离子注入层图形的测试图形，根据所述测试图形得到有源区图形线宽对有源区图形到离子注入层图形的距离的影响曲线；其中，所述影响曲线的获取包括：根据所述测试图形制备测试掩膜版，收集不同测试图形的注入层线宽数据；根据底层有源区图形的反射效应对离子注入层尺寸的影响，来确定有源区图形的线宽以及有源区图形到离子注入层图形的距离对离子注入层图形的线宽的影响曲线；然后，根据所述有源区图形的线宽以及有源区图形到离子注入层图形的距离对离子注入层图形的线宽的影响曲线来得到有源区图形线宽对有源区图形到离子注入层图形的距离的影响曲线；步骤02：根据所述影响曲线并结合所要建立的OPC修正模型的数据，得到有源区对离子注入层的影响函数；其中，设所述影响函数为f＝f(x’)，x’为有源区图形到离子注入层图形的距离；步骤03：将所述影响函数植入所述OPC修正模型中，且作为所述OPC修正模型的一部分与OPC修正方程相对应；步骤04：根据所述影响函数得到有源区对离子注入层的影响框；并且计算得到所述影响框内的有源区的边长对离子注入层的光强影响数据；步骤05：根据所述光强影响数据和OPC模型数据得到新的OPC模型，将所述新的OPC模型植入所述OPC修正方程，以得到新的OPC修正模型，利用该新的OPC修正模型对离子注入版图进行修正，从而得到修正后的离子注入层版图。