[发明专利]一种用于SERS基底的多明治周期性纳米线阵列及其制备方法在审
申请号: | 201610278005.X | 申请日: | 2016-04-27 |
公开(公告)号: | CN105967142A | 公开(公告)日: | 2016-09-28 |
发明(设计)人: | 董前民;吴燕雄;梁培;黄杰;白阳;王鹏辉;马芳丽;曹艳亭 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | B82B1/00 | 分类号: | B82B1/00;B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C25C5/02;G01N21/65 |
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地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于SERS基底的多明治周期性纳米线阵列及其制备方法。该多明治周期性纳米线阵列包括银、金、铜、镍元素,层数为4~8层,每一层纳米线长度为30nm~60nm,纳米线总长度为120nm~400nm,直径为100nm~300nm;其制备方法是将多孔型阳极氧化铝(AAO)模板作为电化学沉积的一极,依次在不同金属元素的盐溶液中沉积一段时间,再使用碱溶液去除AAO模板,得到多明治周期性纳米线阵列。用该法制得的多明治周期性纳米线阵列的特点是不同金属纳米间产生电场耦合作用,能够作为SERS基底增强拉曼散射,制得的SERS基底结合拉曼光谱仪可用于检测更加微弱的分子信号,且不会破坏被检测物质。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 sers 基底 明治 周期性 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于SERS基底的多明治周期性纳米线阵列及其制备方法,其特征在于:所述的多明治周期性纳米线阵列包括银、金、铜、镍元素,层数为4~8层,每一层纳米线长度为30nm~60nm,纳米线总长度为120nm~400nm,直径为100nm~300nm。
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