[发明专利]一种自愈性高方阻薄膜电容器在审
| 申请号： | 201610262447.5 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN105702455A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王金兵 | 申请（专利权）人： | 铜陵市新洲电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01G4/015 | 分类号： | H01G4/015;H01G4/33 |
| 代理公司： | 合肥鼎途知识产权代理事务所(普通合伙) 34122 | 代理人： | 王学勇 |
| 地址： | 244000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种自愈性高方阻薄膜电容器，属于电容器技术领域，所述电容器内薄膜电极由一块金属化薄膜分切而成，所述金属化薄膜包括基膜，所述基膜上均匀蒸镀有一层Al层，所述Al层上蒸镀有一层截面为“Ω”形状的Zn层，所述金属化薄膜两侧超出Al层和Zn层后形成空白区。该技术方案采用一块金属化薄膜分切成两块薄膜电极，确保两块薄膜电极材质、性能基本相同，产品使用稳定性更高，有益效果显著。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自愈 性高方阻 薄膜 电容器 | ||
【主权项】：
一种自愈性高方阻薄膜电容器，其特征在于，所述电容器内薄膜电极由一块金属化薄膜（1）分切而成，所述金属化薄膜（1）包括基膜10，所述基膜（10）上均匀蒸镀有一层Al层（20），所述Al层（20）上蒸镀有一层截面为“Ω”形状的Zn层（30），所述金属化薄膜（1）两侧超出Al层（20）和Zn层30后形成空白区（11）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铜陵市新洲电子科技有限责任公司，未经铜陵市新洲电子科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610262447.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电力柜
- 下一篇：一种低压开关柜母线结构
