[发明专利]一种高灵敏度LVDT设计方法及应用该方法的绕线工艺有效
申请号: | 201610261015.2 | 申请日: | 2016-04-25 |
公开(公告)号: | CN105931816B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 张裕悝;张冰;卫海燕 | 申请(专利权)人: | 安徽感航电子科技有限公司 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F41/06 |
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地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种高灵敏度LVDT设计方法及应用该方法的绕线工艺,方法步骤如下步骤一L长线圈被分成m段,每段长为amm,每段匝数为ak,即a1、a2、a3……ak呈等差级数排列;步骤二根据线圈长度确定排布方式;步骤三a=3mm,间距0.072mm,最多只能绕41.6圈,首项a1=7,m=24,公差d=13.888,分八大部分,每部分3项,组成项数为24的等差级数;工艺步骤如下初级绕线、次级绕线、次级Ⅱ绕线、次级Ⅰ绕线。本发明实现了将4000圈按照等差级数排列,可以设计出高达1V/mm的高灵敏度LVDT,设计的绕线空间大于标称线径,不会造成重叠、磁场干扰的情况,符合用户的使用需求。 | ||
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【主权项】:
一种高灵敏度LVDT设计方法,其特征在于:所述方法步骤如下:步骤一:L长线圈被分成m段,每段长为amm,每段匝数为ak,即a1、a2、a3……ak呈等差级数排列;步骤二:根据线圈长度确定排布方式,排布方式如下:(1)当线圈长度为0~L/8mm时,间绕一层可以排列;(2)当线圈长度为L/8~L/4mm时,绕二层才可以排列,即第一层密绕,再加上一层间绕;(3)当线圈长度为L/4~3/8Lmm时,绕三层才可以排列,即两层密绕,加一层间绕;(4)当线圈长度为3/8L~L/2mm时,绕四层才可以排列,即三层密绕,加一层间绕;(5)当线圈长度为1/2L~5/8Lmm时,绕五层才可以排列,即四层密绕,加一层间绕;(6)当线圈长度为5/8L~3/4Lmm时,绕六层才可以排列,即五层密绕,加一层间绕;(7)当线圈长度为3/4L~7/8Lmm时,绕七层才可以排列,即六层密绕,加一层间绕;(8)当线圈长度为7/8Lmm~Lmm时,绕八层才可以排列,即七层密绕,加一层间绕;步骤三:a=3mm,间距0.072mm,最多只能密绕41.6圈,首项a1=7,m=24,公差d=13.888,分八大部分,每部分3项,组成项数为24的等差级数;
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