[发明专利]表面富硒的NiSe2纳米片、其制备方法及用途

摘要

本发明涉及一种表面富硒的NiSe₂纳米片的制备方法，属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明先合成Ni(OH)₂薄片，然后在高温下硒(Se)化得到表面富硒的NiSe₂纳米片。本发明所合成的富硒的NiSe₂纳米片化学性稳定、结晶性好、析氢性能优良，同时，本发明所述方法制备工艺简单，操作方便且成本低，利用本发明方法可制造电化学析氢半导体材料，应用在新能源领域。

主权项

1.一种硒化镍纳米片的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：使氢氧化镍纳米片和硒粉分别置于双温区管式炉的下游和上游，加热进行硒化反应，对氢氧化镍纳米片进行硒化，得到硒化镍纳米片；其中，所述双温区管式炉的下游的炉温为400~500℃，所述双温区管式炉的上游的炉温为100~300℃；所述双温区管式炉中通有氩气，所述氩气的流量为50~100sccm，所述硒化反应的时间为60~90分钟。