[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法

摘要

本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用4T2C结构，包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1)，通过对第n条扫描信号(SCAN(n))与第n+1条扫描信号(SCAN(n+1))相组合，先后对应于一阈值电压感测阶段、一保持阶段、一编程阶段、及一发光阶段，相比于现有的5T2C结构的像素驱动电路，仅需要设置扫描信号来控制相应的薄膜晶体管，既起到了补偿作用，又减少了控制信号数量，且简化了电路结构，降低了成本。

主权项

一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1)；各个薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管，其栅极经由第一节点(A)电性连接于第一电容(C1)的一端，源极 接入电源正电压(VDD)，漏极 电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极；第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入该像素驱动电路所在行对应的第n条扫描信号(SCAN(n))，源极 接入数据信号(data)，漏极经由第二节点(B)电性连接于第一电容(C1)的另一端；第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入该像素驱动电路所在行的下一行对应的第n+1条扫描信号(SCAN(n+1))，源极 电性连接于第二节点(B)，漏极 接入基准参考电压(Vref)；第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入该像素驱动电路所在行对应的第n条扫描信号(SCAN(n))，源极 电性连接于第一节点(A)，漏极电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极；第一电容(C1)的一端电性连接于第一节点(A)，另一端电性连接于第二节点(B)；第二电容(C2)的一端电性连接于第一节点(A)，另一端电性连接于电源正电压(VDD)；有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第一薄膜晶体(T1)的漏极 和第四薄膜晶体管(T4)的漏极 ，阴极电性连接于电源负电压(VSS)；扫描信号为脉冲信号，所述第n+1条扫描信号(SCAN(n+1))的下降沿晚于第n条扫描信号(SCAN(n))的上升沿；所述第n条扫描信号(SCAN(n))与第n+1条扫描信号(SCAN(n+1))相组合，先后对应于一阈值电压感测阶段(1)、一保持阶段(2)、一编程阶段(3)、及一发光阶段(4)；在所述阈值电压感测阶段(1)，第n条扫描信号(SCAN(n))为低电位，第n+1条扫描信号(SCAN(n+1))为高电位；在所述保持阶段(2)，第n条扫描信号(SCAN(n))为高电位，第n+1条扫描信号(SCAN(n+1))为高电位；在所述编程阶段(3)，第n条扫描信号(SCAN(n))为高电位，第n+1条扫描信号(SCAN(n+1))为低电位；在所述发光阶段(4)，第n条扫描信号(SCAN(n))为高电位，第n+1条扫描信号(SCAN(n+1))为高电位。