[发明专利]一种电平移位电路

摘要

本发明属于电子技术领域，具体涉及一种电平移位电路。本发明的电平移位电路，包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第一电流源、第二电流源和反相器。本发明的有益效果为，本发明的电平位移电路与目前典型的电平位移电路相比具有稳定性高、速度快的特点。

主权项

一种电平移位电路，包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第一电流源、第二电流源和反相器；其中，第一PMOS管MP1的源极接电源，其栅极接第二PMOS管MP2的漏极和第五PMOS管MP5的漏极；第二PMOS管MP2的源极接电源，其栅极接第一PMOS管MP1的漏极和第三PMOS管MP3的漏极；第三PMOS管MP3的源极接电源，其栅极接第四PMOS管MP4的漏极；第四PMOS管MP4的源极接电源，其栅极与漏极互连；第五PMOS管MP5的源极接电源，其栅极接第六PMOS管MP6的漏极；第六PMOS管MP6的源极接电源，其栅极与漏极互连；第一NMOS管MN1的漏极接第一PMOS管MP1的漏极和第三PMOS管MP3的漏极，第一NMOS管MN1的栅极接外部输入信号，第一NMOS管MN1的源极接地；第二NMOS管MN2的漏极接第二PMOS管MP2的漏极和第五PMOS管MP5的漏极，第二NMOS管MN2的栅极接反相器的输出端；第二NMOS管MN2的源极接地；反相器的输入端接外部输入信号；第三NMOS管MN3的漏极接第六NMOS管MN6的源极，第三NMOS管MN3的栅极接反相器的输出端，第三NMOS管MN3的源极接地；第四NMOS管MN4的漏极接第五NMOS管MN5的源极，第四NMOS管MN4的栅极接外部输入信号，第四NMOS管MN4的源极接地；第五NMOS管MN5的漏极接第六PMOS管MP6的漏极，第五NMOS管MN5的栅极接第一PMOS管MP1的漏极和第三PMOS管MP3的漏极；第六NMOS管MN6的漏极接第四PMOS管MP4的漏极，第六NMOS管MN6的栅极接第二PMOS管MP2的漏极和第五PMOS管MP5的漏极；第一电流源的一端接第一NMOS管MN1的漏极，第一电流源的另一端接地；第二电流源的一端接第四NMOS管MN4的漏极，第二电流源的另一端接地；第二PMOS管MP2漏极与第五PMOS管MP5漏极的连接点为电平移位电路的第一输出端，第一PMOS管MP1漏极与第三PMOS管MP3漏极的连接点为电平移位电路的第二输出端。