[发明专利]充电构件、处理盒和电子照相设备有效
申请号: | 201610218036.6 | 申请日: | 2016-04-08 |
公开(公告)号: | CN106054557B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 竹野甲子夫;黛博志;儿玉真隆;土井孝之;山内健一;铃村典子;益启贵 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G15/02 | 分类号: | G03G15/02 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及充电构件、处理盒和电子照相设备。提供一种充电构件,其具有高的充电能力并且防止异常放电发生。所述充电构件包括支承体和表面层。表面层包含具有特定结构的多金属氧烷。 | ||
搜索关键词: | 充电 构件 处理 电子 照相 设备 | ||
【主权项】:
1.一种充电构件,其包括:支承体;和表面层,其特征在于,所述表面层包含具有由结构式(a1)表示的结构的多金属氧烷;和所述多金属氧烷中的M1和由结构式(a2)表示的结构单元中的碳原子用由结构式(a3)表示的连接基团结合:结构式(a1)M1O(k‑(s+1))/2(L1)s结构式(a2)
结构式(a3)*2‑O‑Z‑*1其中,在式(a1)中,M1表示选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In和Ge组成的组中的金属原子;s表示0以上且(k‑2)以下的整数;在M1为Al、Ga或In的情况下,k=3;在M1为Ti、Zr、Hf或Ge的情况下,k=4;在M1为Nb、Ta或W的情况下,k=5;在M1为V的情况下,k=3或5;和L1表示具有由式(b)表示的结构的配体或具有由式(c)表示的结构的配体:
其中,在式(b)中,X1表示由式(1)‑(4)之一表示的结构;Y1表示具有与M1配位的部位的基团;A1表示与M1、X1和Y1形成4元环至8元环所需的键或原子团;和符号“**”表示与M1结合或配位的部位:***‑O‑** (1)
***‑S‑** (3)***‑CO‑O‑** (4)其中,在式(1)‑(4)中,符号“**”表示与M1结合的部位;和符号“***”表示与A1结合的部位;
其中,在式(c)中,R11‑R15各自独立地表示氢原子、具有1‑4个碳原子的烷基或三甲基甲硅烷基;和符号“****”表示与M1配位的部位;其中,在式(a2)中,R1‑R3各自独立地表示氢原子或具有1‑3个碳原子的烷基;和符号“*1”表示与式(a3)中的Z结合的部位;和其中,在式(a3)中,Z表示取代或未取代的亚苯基,条件是,所述取代的亚苯基中的取代基为卤素原子或具有1‑3个碳原子的烷基;符号“*1”表示与式(a2)中的符号“*1”结合的位置;和符号“*2”表示与式(a1)中的M1结合的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社,未经佳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610218036.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有导流功能的石蜡切片染色缸
- 下一篇:控温型染色缸