[发明专利]纳米多孔材料孔道内表面的等离子体改性处理方法及应用在审
| 申请号： | 201610173148.4 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106031860A | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 胡军;黄佳丽;高洁;刘洪来 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | B01J20/18 | 分类号： | B01J20/18;B01J32/00;B01J29/035;B01J21/18;B01J23/50;B01J20/30;B01D53/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 陆林辉 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米多孔材料孔道内表面的等离子体改性处理方法，采用常温常压下介质阻挡放电的方式，在不同气氛下对纳米多孔材料进行处理，其输出功率控制在80‑110瓦，处理时间为20‑40分钟，交流电源幅值为30‑50千伏，频率为5‑20千赫兹内可调。对等离子体处理后的纳米多孔材料进行孔道内有机功能化修饰，可以作为高效吸附材料；进行金属负载，可以作为高效催化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 多孔 材料 孔道 表面 等离子体 改性 处理 方法 应用 | ||
【主权项】：
纳米多孔材料孔道内表面的等离子体改性处理方法，采用常温常压下介质阻挡放电的方式，在不同气氛下对纳米多孔材料进行处理，输出功率为80‑110瓦，处理时间为20‑40分钟，交流电源幅值为25‑40千伏，频率为5‑15千赫兹。
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