[发明专利]一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法，属于电机电气绝缘技术领域。该薄膜包括上下两层，上层为复合材料层，下层为聚酰亚胺基膜层，该复合材料层包括聚酰亚胺基体和表面改性后的纳米三氧化二铝。本发明涉及的薄膜以高性能的纯聚酰亚胺薄膜为基膜能够确保复合薄膜具有优异的机械性能，对基膜进行电晕处理以期提高界面相容性，利用新型偶联剂增加三氧化二铝在聚合物基体中分散性，并能有效地提高掺杂剂量，并能有效地提高耐电晕特性；所制备的双层复合膜兼备了高耐电晕性能和高机械性能特性，能够作为高性能单面耐电晕薄膜材料广泛使用。

主权项

一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜，其特征在于：该薄膜包括上下两层，上层为复合材料层，下层为聚酰亚胺基膜层，所述的复合材料层包括聚酰亚胺基体和表面改性后的纳米三氧化二铝；所述的纳米三氧化二铝的表面改性方法为：(1)将纳米三氧化二铝粒子进行真空干燥，然后加入到溶剂中，分散，得到悬浮液；(2)将含酰亚胺结构的硅烷偶联剂加入到步骤(1)得到的悬浮液中，超声分散，然后再加入铝酸酯偶联剂，惰性气体保护，加热回流进行化学偶联反应；(3)反应完成后，抽滤，对滤饼进行清洗、干燥，得到改性后的纳米三氧化二铝；所述的步骤(1)中的纳米三氧化二铝粒子与所述的步骤(2)中的含酰亚胺结构的硅烷偶联剂、铝酸酯偶联剂F‑1的质量比为：100：(1‑5)：(1‑10)；所述的步骤(2)中的含酰亚胺结构的硅烷偶联剂的结构式如式(1)为：所述的含酰亚胺结构的硅烷偶联剂的制备方法为：将二酸酐溶解在溶剂N,N‑二甲基乙酰胺中，滴加氨基硅烷偶联剂，室温搅拌12‑24h，然后加入脱水剂苯二甲酸酐和催化剂异喹啉进行化学亚胺化反应，反应温度为60‑80℃，反应时间为12‑24h；所述的二酸酐与氨基硅烷偶联剂的摩尔比为1：2；所述的二酸酐与脱水剂苯二甲酸酐的摩尔比为1：(1‑2)；所述的二酸酐与催化剂异喹啉的摩尔比为1：(1‑2)；所述的二酸酐为3,3',4,4'‑联苯四甲酸二酐、双酚A二酐、4,4'‑(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4’‑羰基二苯二甲酸酐或3,3,4,4‑二苯基砜四羧酸二酸酐。