[发明专利]一种还原态氧化钼量子点材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610167831.7 申请日: 2016-03-23
公开(公告)号: CN105819510B 公开(公告)日: 2017-04-05
发明(设计)人: 果崇申;刘绍琴;丁丹丹 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C01G39/02 分类号: C01G39/02;B82Y30/00
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司23206 代理人: 高媛
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种还原态氧化钼量子点材料的制备方法,所述方法具体步骤如下将1~3g金属钼粉溶解于10 ml 30%双氧水中,在磁力搅拌下混合至钼粉全部溶解,加入0.5~5g还原剂,然后在反应釜中60~160℃晶化反应6~48小时,反应后将粉体样品离心,洗涤,真空干燥,即获得粉体样品。该方法直接合成的混合价态氧化钼量子点形貌均匀、尺寸小于5 nm,并且具备优异、稳定的近红外线吸收性能。
搜索关键词: 一种 还原 氧化钼 量子 材料 制备 方法
【主权项】:
一种还原态氧化钼量子点材料的制备方法,其特征在于所述方法具体步骤如下:将1~3g金属钼粉溶解于10 ml 30%双氧水中,在磁力搅拌下混合至钼粉全部溶解,加入0.5~5g还原剂,然后在反应釜中60~160℃晶化反应6~48小时,反应后将粉体样品离心,洗涤,真空干燥,即获得粉体样品,所述样品的物相为还原态的Mo13O33,且尺寸小于5 nm,所述还原剂为壳聚糖。
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