[发明专利]一种基于三维掺氮石墨烯/二硫化钼的γ‑干扰素适体电极及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201610137834.6 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105784819B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王宗花;鹿林;桂日军;金辉;夏建飞 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | G01N27/48 | 分类号： | G01N27/48;G01N27/30 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司37221 | 代理人： | 赵妍 |
| 地址： | 266071 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于三维掺氮石墨烯/二硫化钼的γ‑干扰素适体电极及其制备方法与应用。氮掺杂石墨烯/二硫化钼复合物(3D G‑N/MoS2)在溶液中带负电荷，辣根过氧化物酶(HRP)在溶液中带正电荷，通过静电吸引作用力结合成辣根过氧化物酶/氮掺杂石墨烯/二硫化钼复合物(HRP/3D G‑N/MoS2)。γ‑干扰素适体ssDNA通过静电吸引与π‑π分子间作用力与HRP/3D G‑N/MoS2结合，形成ssDNA/HRP/3D G‑N/MoS2/GCE适体修饰电极。该适体电极对γ‑干扰素的线性检测范围为10‑14‑10‑9M，最低检测限为3.3×10‑15M。实际样品的测定结果表明，该方法具有很好的适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 三维 石墨 二硫化钼 干扰素 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于三维掺氮石墨烯/二硫化钼的γ‑干扰素适体电极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1)三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料的制备；2)辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料的制备称取适量三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料加入二次水中，超声共振一段时间后，加入辣根过氧化物酶，冰水浴搅拌，得到辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料，过滤后，将辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料分散在水中保存；3)辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料适体修饰电极的制备玻碳电极预处理后，将步骤2)中得到的辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料滴涂在玻碳电极表面，制得辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼/裸玻碳修饰电极；将制备的辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼/裸玻碳修饰电极浸在γ‑干扰素适体ssDNA中进行培育，封闭电极，制得γ‑干扰素电化学适体修饰电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛大学，未经青岛大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610137834.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
