[发明专利]基于二维纳米填料磁致取向的高阻隔复合材料及制备方法有效
| 申请号： | 201610126124.3 | 申请日： | 2016-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105733189B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 贾晓龙;尚庭华;曹阳;李文斌;杨文刚;杨小平 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08L63/00 | 分类号： | C08L63/00;C08L63/02;C08K9/12;C08K9/10;C08K3/22;C08K3/04;C08K3/34 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 基于二维纳米填料磁致取向的高阻隔复合材料及制备方法涉及高阻隔复合材料制备。其特征在于a、采用共沉淀法在磁场作用下使Fe3O4以磁性纳米棒的形式负载到二维纳米填料表面，然后用多巴胺包覆二维纳米填料，使Fe3O4磁性纳米棒和二维纳米填料结合稳定，同时改善了二维纳米填料与树脂基体的界面结合性能；b、磁改性二维纳米填料在磁场诱导下取向，不影响树脂固化体系，且磁场强度大小和方向能随意进行调整，二维纳米填料的取向分布易于实现，适用范围广。本发明实现了二维纳米填料在树脂基体中的取向排列，充分发挥其阻隔效能，有效提高了树脂基复合材料的阻隔性能，拓展了树脂基复合材料在航空、航天、能源、交通等领域的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 纳米 填料 取向 阻隔 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于二维纳米填料磁致取向的高阻隔复合材料的制备方法，其特征在于实施步骤如下：a、采用共沉淀法在磁场作用下使Fe3O4以磁性纳米棒的形式原位负载到二维纳米填料表面，用多巴胺包覆二维纳米填料；b、将上述Fe3O4磁改性二维纳米填料和环氧树脂及固化剂混合，机械搅拌分散均匀后，倒入模具中，施加平行于试样表面的静态匀强磁场，使磁改性二维纳米填料取向，固化得到最终的复合材料。
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