[发明专利]一种表面修饰的纳米通道膜及其制备方法与应用有效
申请号: | 201610121913.8 | 申请日: | 2016-03-04 |
公开(公告)号: | CN107153082B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 夏帆;高鹏程;程洪利 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种表面修饰的纳米通道膜,所述纳米通道膜的厚度为12μm~60μm,具有直径为10nm~600nm,平均密度为107/cm2~109/cm2的纳米通道,所述纳米通道表面修饰有粒径为5nm~100nm,密度为105/m2~109/m2的单分散性的纳米颗粒,所述纳米颗粒为金、银、钯、铂或钌中的一种或多种。本发明还公开了该纳米通道膜的制备方法及应用。通过本发明的纳米通道膜,具备修饰有纳米颗粒的纳米通道,其结构更接近于生物孔道结构,对于研究生命体物质和能量的转移过程十分必要。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 修饰 纳米 通道 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种表面修饰的纳米通道膜的制备方法,该纳米通道膜的厚度为12μm~60μm,具有直径为10nm~600nm,平均密度为107/cm2~109/cm2的纳米通道,所述纳米通道表面修饰有粒径为5nm~100nm,密度为105/m2~109/m2的单分散性的纳米颗粒,所述纳米颗粒为金、银、钯、铂或钌中的一种或多种;其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:(1)活化处理纳米通道膜,所述纳米通道膜的厚度为12μm~60μm,具有直径为10nm~600nm,密度为107/cm2~109/cm2的纳米通道;(2)将所述步骤(1)获得的纳米通道膜置于滤膜的顶部,在所述纳米通道膜的上表面添加浓度大于0.02mg/ml的盐酸多巴胺溶液,用大于‑0.01Mpa的压力在滤膜的底部抽滤,使得所述纳米通道表面附着厚度为1nm~60nm的盐酸多巴胺溶液;(3)将所述步骤(2)获得的纳米通道膜浸润浓度为0.01mM~100mM的前驱体溶液,使得所述前驱体与所述纳米通道表面的盐酸多巴胺在避光条件下充分反应,生成单分散性的纳米颗粒,获得所述表面修饰的纳米通道膜,其中,所述前驱体为Ag+、AuCl4‑、PdCl4‑、PtCl62‑、Cd2+或Ru2+。
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