[发明专利]一种CdSe纳米晶光电材料的制备方法在审
| 申请号： | 201610106967.7 | 申请日： | 2016-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN105800952A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 王晶晶;钟福新;黎燕;江瑶瑶;莫德清;朱义年 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CdSe纳米晶光电材料的制备方法。（1）在氩气保护下，将0.7896 g硒粉和7.5624g无水亚硫酸钠加入装有100mL二次蒸馏水的三口烧瓶中，回流2小时，冷却，得Na2SeSO3溶胶。（2）将15mL~45mL浓度为0.1mol/L的Cd(NO3)2·4H2O溶液和1mL~9mL分析纯甲酸溶液混合。（3）在步骤（2）所得溶液中加入10mL分析纯NMP、5mL~15mL浓度为0.1mol/L的Na2EDTA和5mL浓度为0.01mol/L的SDBS。（4）将步骤（3）所得溶液置于水浴中加热，至60℃~100℃后，加入15mL~45mL步骤（1）所得的Na2SeSO3溶胶和1mL~19mL的H2O，在氩气保护下恒温反应回流20~60分钟，冷却。本发明制备工艺简单，样品分散性好，易存储，无污染，并具有较好的光电性能等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cdse 纳米 光电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CdSe纳米晶光电材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：在氩气保护条件下，将0.7896 g硒粉和7.5624g无水亚硫酸钠加入装有100mL二次蒸馏水的三口烧瓶中，沸腾下反应回流2小时，冷却，即得浓度为0.1mol/L 的Na2SeSO3溶胶；将15mL~45mL 浓度为0.1mol/L的 Cd(NO3)2·4H2O溶液和1mL~9mL分析纯甲酸溶液混合；在步骤（2）所得溶液中加入10mL分析纯 N‑甲基吡咯烷酮溶液、5mL~15mL浓度为0.1mol/L的乙二胺四乙酸二钠溶液和5mL浓度为0.01mol/L的十二烷基苯磺酸钠溶液，混合均匀，得到溶液A；将步骤（3）所得A溶液置于水浴中加热，待温度升至60℃~100℃后，缓慢加入15mL~45mL步骤（1）所得的浓度为0.1mol/L 的Na2SeSO3溶胶和1mL~19mL 的H2O，在氩气保护条件下恒温反应回流20~60分钟，冷却，即得CdSe纳米晶光电材料。
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