[发明专利]高速垂直发射单片集成型直接调制DFB激光器及制作方法有效
| 申请号： | 201610090737.6 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN105576502B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 唐琦;王汉华 | 申请（专利权）人： | 武汉光安伦光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/343;H01S5/18 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 程殿军;张瑾 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直发射的单片集成型直接调制DFB激光器及其制作方法。本发明采用源增益区和无源波导区对接的模式形成了高质量的超短光学谐振腔结构，从而提高了高调制频率的直接调制DFB激光器的可靠性和光谱的质量。另外，本发明利用无源波导区形成的45度反射面实现激光的垂直发射，克服现有技术中由于激光器侧面出光而不能实现的发射高密度的并行光互联的技术问题。同时本发明利用折射率和增益耦合叠加的λ/4相移光栅配合脊型波导实现激光器良好的高速调制性能。另外，本发明利用单片集成工艺制作激光器，可以实现小尺寸、高度集成化以及高密度的光互联。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 垂直 发射 单片 集成 直接 调制 dfb 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高速垂直发射单片集成型直接调制DFB激光器，其特征在于，所述激光器包括有源增益区以及与所述有源增益区通过对接生长形成的无源波导区；其中，所述有源增益区与所述无源波导区的接触部位设置有缺口，并且所述缺口的由所述无源波导区形成的靠近所述有源增益区的侧面作为超短光学谐振腔的前端面，所述有源增益区的与所述前端面相对的侧面形成超短光学谐振腔的后端面。
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