[发明专利]一种应用于单光子探测器的淬灭和限流电路在审
| 申请号： | 201610062185.8 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN107024288A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 卜晓峰;马浩文;沈寒冰;吴俊辉 | 申请（专利权）人： | 苏州超锐微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应用于单光子探测器的淬灭和限流电路，包括应用于单光子雪崩二极管(SPAD)的淬灭电路和限流电路。该电路通过限制雪崩二极管的雪崩电流，有效的减小工作电流，降低功耗，并且能够快速抑制二极管的雪崩效应，减小死区时间，提高工作速度。该电路架构简单，利用少量MOSFET（金属‑氧化物半导体场效应晶体管，即金氧半场效晶体管，Metal‑Oxide‑Semiconductor Field‑Effect Transistor,以下简称MOSFET）实现电路的全部功能，有效减小电路所占面积，并且工作电流得到有效限制，有利于实现单光子雪崩二极管的大规模集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 光子 探测器 限流 电路 | ||
【主权项】：
一种应用于单光子探测器的淬灭和限流电路，所述的淬灭和限流电路的特征是：单光子雪崩二极管（SPAD）的阳极施加一个固定电压Vap，此固定电压比二极管雪崩击穿电压稍低，SPAD的阴极与一个PMOSFET管M2的源极相连，两个PMOSFET管M1和M2组合一个电流镜，电阻Rs用于对电流镜进行限流，确保整个电路的工作电流上限，M1和M2的漏极接电压VDD，SPAD的阴极与一个反相器组连接，反相器组对脉冲信号进行调制并输出，并作为整个电路的缓冲。
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