[发明专利]一种调节和确定饱和温度的方法在审
申请号: | 201610060754.5 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105838445A | 公开(公告)日: | 2016-08-10 |
发明(设计)人: | 王万利 | 申请(专利权)人: | 王万利 |
主分类号: | C10J3/16 | 分类号: | C10J3/16;C10J3/72;C10J3/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 255311 山东省淄博市周村*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种调节和确定饱和温度的方法,包括,提高饱和温度,氧化层上升距离等于氧化层循环位置上升距离;降低饱和温度,氧化层下降距离等于氧化层循环位置下降距离;饱和温度按氧化层循环周期循环变化。提高饱和温度,在氧化层上升过程。降低饱和温度,在氧化层循环的第二、三环节,氧化层下降过程。提高饱和温度,或开气封,减少外排蒸汽流量。降低饱和温度,或关气封,增加外排蒸汽流量。本发明优点,提高气化效率,降低劳动强度,炉篦寿命长。 | ||
搜索关键词: | 一种 调节 确定 饱和 温度 方法 | ||
【主权项】:
一种调节和确定饱和温度的方法,蒸汽压力适当,其特征在于,包括:饱和温度每提高1℃,氧化层上升10‑42mm,导致氧化层循环位置上升相等距离,饱和温度高,氧化层循环位置包括氧化层上升距离大,饱和温度低,氧化层循环位置包括氧化层上升距离小;饱和温度每降低1℃,氧化层下降10‑42mm,导致氧化层循环位置下降相等距离,饱和温度高,氧化层循环位置包括氧化层下降距离大,饱和温度低,氧化层循环位置包括氧化层下降距离小;氧化层循环位置内,氧化层上升,饱和温度自然升高0.8‑4℃,氧化层下降,饱和温度自然降低0.8‑4℃,按氧化层循环周期循环。
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