[发明专利]多模光纤有效
| 申请号： | 201610059735.0 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105891946B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 盐崎学;米泽和泰;榎本正 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/028 | 分类号： | G02B6/028 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及具有用于实现在更宽波长范围内扩大带宽并提高芯部中的折射率分布的制造容易性的结构的GI‑MMF。在GI‑MMF的实例中，芯部的整个区域掺杂有Ge，并且芯部的一部分掺杂有P。即，掺Ge区域与芯部的整个区域一致，并且掺Ge区域由掺杂有Ge和P的部分掺P区域和掺杂有Ge但有意未掺杂P的未掺P区域构成。 | ||
| 搜索关键词： | 光纤 | ||
【主权项】：
1.一种多模光纤，包括：芯部，其沿着预定轴线延伸，并且掺杂有锗和氟；以及包层，其设置在所述芯部的外周表面上，其中，所述芯部具有通过掺杂所述锗和所述氟而形成的渐变折射率型折射率分布，在所述芯部的与所述预定轴线垂直的横截面中，掺杂有所述锗的掺锗区域与所述芯部的所述横截面的整个区域一致，并且在所述芯部的所述横截面中，所述掺锗区域由部分掺氟区域和未掺氟区域构成，在所述部分掺氟区域中，因掺杂有所述氟而得到的相对于所述包层的相对折射率差受到控制，在所述未掺氟区域中，所述氟的掺杂量被设定为不超过所述部分掺氟区域中的所述氟的最大掺杂量的5％，其中，在所述掺锗区域中，所述部分掺氟区域布置为围绕整个所述未掺氟区域。
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