[发明专利]一种中心频率及带宽全可调的HMSIW滤波器

摘要

本发明涉及一种中心频率及带宽全可调的HMSIW滤波器。本发明利用由双层介质板叠加构成的半模基片集成腔体滤波器,且上层介质板比下层介质面积大，为加载调谐元件提供了物理空间，中心频率以及带宽的调谐通过加载变容管来实现。上层介质板金属层凹陷与下层介质板金属层构成较强电容效应，谐振频率的下降不再仅仅依靠增大谐振腔尺寸，通过外部并联加载的变容管来调谐频率，创新性的实现了SIW结构的频率调谐方式，同时引入HMSIW迎合了现代射频通信系统对于小型化的要求并解决了传统腔体滤波器很难通过外部加载调谐原件来完成可调的问题。

主权项

1.一种中心频率及带宽全可调的HMSIW滤波器，其特征在于包括两个由上层金属面下陷形成的谐振腔，输入输出馈线，以及用于调谐频率、带宽、外部Q值的变容二极管；所述的滤波器主要由两层介质板构成，且上层介质板比下层介质板面积大，延伸部分用于加载输入输出馈线以及调谐元件；所述的上层介质板上表面以及下层介质板下表面铺设金属层；所述的上层介质板金属层的两处向下凹陷，形成两个谐振腔；所述的上层介质板下表面和下层介质板上表面设有周期性分布、一一对应的金属柱；所述的上层介质板金属层凹陷部分通过挖槽形式实现，上层介质板下表面挖槽四周设有第一部分凹陷金属层；该第一部分凹陷金属层与上层介质板下表面间设有沿挖槽四周周期性分布的金属柱，且这些金属柱贯穿设置在上层介质板，用以防止电磁能量外泄；所述的下层介质板上表面挖槽对应处设有与挖槽大小相同的第二部分凹陷金属层；当上下两介质板叠加时，第一部分凹陷金属层和第二部分凹陷金属层组合形成整个凹陷部分金属层；所述的变容二极管C_V1垂直加载在凹陷部分金属层与下层介质板金属层间，用以实现中心频率可调；所述的变容二极管C_V2加载在两谐振腔凹陷金属层间，用以实现带宽可调；所述的变容二极管C_V3加载在输入输出馈线与谐振腔间，用以实现外部Q值可调。