[发明专利]一种超低功耗振荡器

摘要

本发明提出一种超低功耗振荡器，其特征在于：包括起振电路；用于接收时钟信号而发起振荡，该起振电路具有第一端和第二端；偏置电路；用于产生对该起振电路的第二端的偏置电压，以降低振荡电路的振荡幅值；提压电路；用于振荡信号的输出提压；以及输出电路；该起振电路与提压电路之间具有多个相互交错连接的节点。本发明采用区别于传统方案的交错接线方式，对起振电路和提压电路进行同相控制，解决传统电子电路中存在的短路电流问题，避免元器件进行开关切换时的大短路电流，对降低电路功耗以及提升电路稳定性有着重要的作用；同时由于提压电路的存在，使得电路振荡幅值能够得到降低，从而进一步降低整体振荡器电路的功耗。

主权项

1.一种超低功耗振荡器，其特征在于：包括起振电路；用于接收时钟信号而发起振荡，该起振电路具有第一端和第二端，其第一端连接直流源VEE，第二端与偏置电路相连；偏置电路；用于产生对该起振电路的第二端的偏置电压，以降低振荡电路的振荡幅值，该偏置电路具有第一端和第二端，其第一端连接直流源VEE，第二端连接信号地端VSS；提压电路；用于振荡信号的输出提压，该提压电路具有第一端和第二端，其第一端连接直流源VEE，第二端连接信号地端VSS；以及输出电路；该输出电路具有第一端、第二端和输出端，其第一端连接直流源VEE，第二端连接信号地端VSS；该起振电路、偏置电路和提压电路之间具有若干个相互交错连接的节点；所述起振电路包括有以下元件：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管串接连接于该第一端与第二端之间，其中，第一PMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极连接于点B，第二PMOS管的栅极与第一NMOS管的栅极连接于点C，第二PMOS管与第一NMOS管的串联连接点为点A；第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第十一NMOS管串接连接于该第一端与第二端之间，其中，第三PMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极连接于点C，第四PMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极连接于点D，第四PMOS管与第三NMOS管的串联连接点为点B，第十一NMOS管的栅极连接于点W；第五PMOS管、第六PMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管串接连接于该第一端与第二端之间，其中，第五PMOS管的栅极与第六NMOS管的栅极连接于点D，第六PMOS管的栅极与第五NMOS管的栅极连接于点E，第六PMOS管与第五NMOS管的串联连接点为点C；第十六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管串接连接于该第一端与第二端之间，其中，第七PMOS管的栅极与第八NMOS管的栅极连接于点E，第八PMOS管的栅极与第七NMOS管的栅极连接于点A，第八PMOS管与第七NMOS管的串联连接点为点D，第十六NMOS管的栅极连接于点X；第十七PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第九NMOS管和第十NMOS管串接连接于该第一端与第二端之间，其中，第九PMOS管的栅极与第十NMOS管的栅极连接于点A，第十PMOS管的栅极与第九NMOS管的栅极连接于点B，第十PMOS管与第八NMOS管的串联连接点为点E，第十七NMOS管的栅极连接于点X；第十八PMOS管连接于所述第一端和点B之间，其栅极连接于点W；第十九PMOS管和第十分NMOS管串联连接于所述第一端和VSS端之间，二者的栅极连接于点W，二者的串联连接点连接于点X；第十六NMOS管连接于点E和所述第二端之间，第十七NMOS管连接于点D和所述第二端之间，第十六NMOS管的栅极和第十七NMOS管的栅极连接于点X；所述提压电路包括有以下元件：第二十六PMOS管、第二十七PMOS管和第二十三NMOS管连接于第一端和第二端之间，第二十六PMOS管的栅极连接于点B，第二十七PMOS管的栅极连接于点C，第二十七PMOS管与第二十三NMOS管的串联连接点连接于点M；第二十四PMOS管、第二十五PMOS管和第二十二NMOS管连接于第一端和第二端之间，第二十四PMOS管的栅极连接于点E，第二十五PMOS管的栅极连接于点A；第二十二PMOS管、第二十三PMOS管和第二十一NMOS管连接于第一端和第二端之间，第二十二PMOS管的栅极连接于点C，第二十三PMOS管的栅极连接于点E；第二十PMOS管、第二十一PMOS管和第二十NMOS管连接于第一端和第二端之间，第二十PMOS管的栅极连接于点C，第二十一PMOS管的栅极连接于点D，第二十一PMOS管与第二十NMOS管的串联连接点连接于点N；第二十二NMOS管的栅极连接于点M，第二十NMOS管的栅极和第二十一NMOS管的栅极共同连接于第二十五PMOS管与第二十二NMOS管的串联连接点；所述偏置电路包括有以下元件：第三十一PMOS管、第三十NMOS管、第三十二NMOS管和第二十七NMOS管串联连接于第一端和第二端之间，其中，第三十一PMOS管的栅极与第三十NMOS管的栅极连接于点F，第三十一PMOS管和第三十NMOS管的串联连接点连接至点F，第三十二PMOS管的栅极连接至第三十NMOS管和第三十二NMOS管的串联连接点，第二十七NMOS管的栅极连接于点I；第三十五NMOS管连接于起振电路的第二端和提压电路的第二端之间，其栅极连接于点I；第二十九NMOS管连接于起振电路的第二端和提压电路的第二端之间，其栅极与第十八NMOS管的栅极共同连接于点X，第十八NMOS管与第二十三NMOS管并联连接；第二十八PMOS管、第二十九PMOS管和第二十六NMOS管串联连接于第一端和第二端之间，其中，第二十八PMOS管的栅极连接于点F，第二十九PMOS管的栅极连接至第二十七NMOS管和第三十二NMOS管的串联连接点；第三十PMOS管和第二十五NMOS管串联连接于第二十八PMOS管和第二端之间，其中，第三十PMOS管的栅极连接至第二十九NMOS管，第三十PMOS管的栅极与第二端之间连接有第二十四NMOS管，第二十四NMOS管的栅极与第三十PMOS管的栅极之间接有电容C1，第二十四NMOS管的栅极连接至第二十九PMOS管和第二十六NMOS管的串联连接点。