[发明专利]全固态二次电池组件的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610037330.7 申请日: 2016-01-20
公开(公告)号: CN105529489B 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 童君 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: H01M10/04 分类号: H01M10/04;H01M10/0565;H01M10/0562
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 代理人: 吴平
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种全固态二次电池组件的制备方法,全固态二次电池组件通过串联和/或并联方法集成。串联集成步骤包括在沉积有第一集流层的衬底表面刻划沟槽,在沉积有第一集流层的衬底表面依次沉积第一极薄膜、固态电解质薄膜及第二极薄膜,再在表面刻划沟槽,沉积第二集流层,再在表面刻划沟槽,得到全固态二次电池组件。并联集成步骤包括在依次沉积有第一集流层及第一极薄膜的衬底表面刻划沟槽,再在表面依次沉积固态电解质薄膜、第二极薄膜及第二集流层,得到全固态二次电池组件。该制备方法适合薄膜化和微型化的全固态二次电池组件的制备,解决了传统焊接工艺不能满足薄膜化和微型化的电池组件的串并联集成的问题。
搜索关键词: 固态 二次 电池 组件 制备 方法
【主权项】:
一种全固态二次电池组件的制备方法,其特征在于,所述全固态二次电池组件通过串联方法集成,或通过并联方法集成,或通过串并联方法集成;所述全固态二次电池组件通过串联方法集成的步骤包括:(1)在沉积有第一集流层的衬底表面刻划形成第一沟槽,所述第一沟槽贯穿所述第一集流层且使所述衬底露出,在所述沉积有第一集流层的衬底的表面依次沉积第一极薄膜、固态电解质薄膜及第二极薄膜,所述第一极薄膜填充所述第一沟槽并覆盖所述第一集流层及所述第一沟槽,得到初级串联薄膜;(2)在所述初级串联薄膜的表面刻划形成第二沟槽,所述第二沟槽贯穿所述第一极薄膜、所述固态电解质薄膜及所述第二极薄膜且使所述第一集流层露出,在所述初级串联薄膜的表面沉积第二集流层,所述第二集流层填充所述第二沟槽并覆盖所述第二极薄膜及所述第二沟槽,得到中间串联薄膜;及(3)在所述中间串联薄膜的表面刻划形成第三沟槽,所述第三沟槽贯穿所述第二集流层、所述第一极薄膜、所述固态电解质薄膜及所述第二极薄膜且使所述第一集流层露出,其中所述第二沟槽位于所述第一沟槽和所述第三沟槽之间,得到所述全固态二次电池组件;所述全固态二次电池组件通过并联方法集成的步骤包括:(1)在依次沉积有第一集流层及第一极薄膜的衬底表面刻划形成刻划槽,所述刻划槽贯穿所述第一极薄膜且使所述第一集流层露出,得到初级并联薄膜;及(2)在所述初级并联薄膜的表面依次沉积固态电解质薄膜、第二极薄膜及第二集流层,得到所述全固态二次电池组件;其中,所述第一极薄膜及所述第二极薄膜中的一个为正极薄膜,另一个为负极薄膜;所述全固态二次电池组件通过串并联方法集成的步骤,包括所述全固态二次电池组件通过串联方法集成的步骤及所述全固态二次电池组件通过并联方法集成的步骤。
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