[发明专利]霍尔元件

摘要

霍尔元件，其集成于一个衬底上，能够通过切换旋转电流的旋转开关消除偏移且能够同时检测水平方向磁场和垂直方向磁场，具有4次旋转轴，并由以下部分构成：由P型的硅构成的P型半导体衬底层(100)、设于所述P型半导体衬底层上的垂直磁场检测N型杂质区域(110)；以及围着所述垂直磁场检测N型杂质区域对称地配置的8个水平磁场检测N型杂质区域(120、121)。

主权项

1.一种霍尔元件，其构成为利用霍尔效应检测垂直磁场和水平磁场并降低偏移电压，该霍尔元件的特征在于，具有：由P型的硅构成的P型半导体衬底层；设置在所述P型半导体衬底层上的垂直磁场检测N型杂质区域；以及配置成围着所述垂直磁场检测N型杂质区域的8个水平磁场检测N型杂质区域，所述垂直磁场检测N型杂质区域具有：正方形或十字形的垂直磁场感应部，其具有4次旋转轴；以及同一形状的第1表面N型高浓度杂质区域，其配置在所述垂直磁场感应部的各个顶点或端部，成为垂直磁场检测控制电流输入端子及垂直磁场霍尔电压输出端子，所述8个水平磁场检测N型杂质区域全部为相同形状，且具有：相对于所述第1表面N型高浓度杂质区域配置在左右方向轴即X方向轴及上下方向轴即Y方向轴上的、作为第2表面N型高浓度杂质区域的水平方向磁场检测控制电流输入端子；成为所述水平方向磁场检测控制电流输入端子的衬底方向下部、即Z方向上的配置在所述半导体衬底层内的嵌入N型高浓度杂质区域；夹在所述水平方向磁场检测控制电流输入端子和所述嵌入N型高浓度杂质区域之间的水平磁场感应部；以及隔着所述水平方向磁场检测控制电流输入端子，配置在上下方向即Y方向及左右方向即X方向上的两个作为第3表面N型高浓度杂质区域的水平磁场霍尔电压输出端子。