[发明专利]抗静电储能电路在审
| 申请号： | 201610029734.1 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105720968A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 方镜清 | 申请（专利权）人： | 中山芯达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人： | 邹常友 |
| 地址： | 528400 广东省中山市火*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开抗静电储能电路，该电路包括电源输入端、接地端、第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管分别包括第一电极、第二电极和控制导通\截止的第三电极，所述第一MOS管的第一电极连接电源输入端，所述第一MOS管的第二电极连接所述第二MOS管的第三电极，所述第一MOS管的第三电极连接所述第二MOS管的第二电极，所述第二MOS管的第一电极连接接地端；本发明所述的一种抗静电储能电路是采用一对互补的NMOS管和PMOS管组成的CMOS电路，其中将PMOS管的漏极连接NMOS管的栅极，所述PMOS管的栅极连接NMOS管的漏极，采用此连接方式可以防止在静电释放时击穿集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 抗静电 电路 | ||
【主权项】：
一种抗静电储能电路，包括电源输入端、接地端、第一MOS管和第二MOS管，其特征在于：所述第一MOS管和第二MOS管分别包括第一电极、第二电极和控制导通\截止的第三电极；所述第一MOS管的第一电极连接电源输入端，所述第一MOS管的第二电极连接所述第二MOS管的第三电极，所述第一MOS管的第三电极连接所述第二MOS管的第二电极，所述第二MOS管的第一电极连接接地端。
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