[发明专利]花卉培育方法

摘要

本发明公开了一种花卉培育方法，包括：步骤一、选取秋发牡丹品种植株，并对其进行修剪和全脱叶处理；步骤二、使用植物激素对植株的芽体于温度10～13℃和湿度85％～95％的条件下进行涂抹处理；步骤三、将植株放置10～15天后，之后将植株置于温度10～13℃、湿度85％～95％及光照强度400‑1000lux，光照周期8‑10小时/天的条件下生长，最后将植株的根长修剪为30～50cm；步骤四、制备培养基质：将得到的脱叶与土壤、蛭石和酵母混合均匀，并共同发酵10～15天得到培养基质；步骤五、将培养基质装入花盆中，并采用底部浇水的方式，至培养基质全部浇透水，之后将处理过得植株移栽到该培养基质中培育。

主权项

1.一种花卉培育方法，其特征在于，包括：步骤一、于每年9月中下旬，选取秋发牡丹品种植株，并对其进行修剪和全脱叶处理，所述秋发牡丹品种为藏枝红，所述植株为3.5～4年的植株，所述修剪为：保留所述植株的4～8个主枝；步骤二、使用植物激素对经过全脱叶处理的植株的芽体于温度10～13℃和湿度85％～95％的条件下进行涂抹处理，其中，所述涂抹处理包括：每隔5天涂抹芽体一次，且连续涂抹3次，其中，所述植物激素包括1000～1500mg/ml的赤霉素、300～500mg/ml细胞分裂素和350～400mg/ml生长激素；步骤三、将步骤二中处理后的植株于温度10～13℃、湿度85％～95％及黑暗条件下放置10～15天后，之后将植株置于温度10～13℃、湿度85％～95％及光照强度400‑1000lux，光照周期8‑10小时/天的条件下生长3～5天，并浇水一次，最后将植株的根长修剪为30～50cm；步骤四、制备培养基质：将步骤一中得到的脱叶粉碎为50目以下的颗粒，之后与土壤、蛭石和酵母按照质量比1:5:2：0.05混合均匀，并于温度25～30℃下共同发酵10～15天，得到培养基质；步骤五、将步骤四中得到的培养基质装入花盆中，并采用底部浇水的方式，至培养基质全部浇透水，之后将步骤三中处理过的植株移栽到该培养基质中培育。