[发明专利]SiO2@Tb(phen-Si)L核壳结构纳米发光复合材料的合成方法在审
| 申请号： | 201610000962.6 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106939162A | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李文先;郑玉山;宝金荣;冯淑艳;白娟;付志芳 | 申请（专利权）人： | 内蒙古大学 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;C09K11/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010021 内蒙古自治区呼*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 一种SiO2@ Tb(phen-Si)L核壳结构纳米发光复合材料的合成方法。以粒径为500nm的SiO2微球为内核，用phen-Si修饰。以亚砜和高氯酸铽有机配合物为包覆层，合成SiO2@ Tb(phen-Si)L核-壳型稀土纳米发光复合物。本发明属于稀土有机发光材料领域。主要解决的问题是将以往的SiO2掺杂类型的稀土发光材料做成核壳型稀土发光材料。具体方法是用硅烷偶联剂phen-Si做“分子桥”，使其一端与硅球连接， 另一端的双N原子与稀土Tb3+配位，同时亚砜配体也可以与Tb3+配位，结果在phen-Si修饰的SiO2微球外层包覆上稀土亚砜配合物，得到两种新的SiO2(500)@Tb(Phen-Si) L(20) ，SiO2(500)@Eu(Phen-Si)L(100)的SiO2核壳结构纳米发光复合材料。本发明材料制备方法简单，稀土有机配合物包覆层为纳米级，故高纯稀土用量极少，成本低。同时获得了发光性能优异的核壳结构纳米发光材料。 | ||
| 搜索关键词： | sio2 tb phen si 结构 纳米 发光 复合材料 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种SiO2@ Tb(phen‑Si)L核壳结构纳米发光复合材料的合成方法，其特征是以500纳米的SiO2微球为内核，以 phen‑Si（分子式为(phen)‑N‑(CONH(CH2)3Si(OCH2CH 3) 3)2）和邻羧苯基羧甲基亚砜L（C6H4(COOH)SOCH2COOH）以及高氯酸铽的有机配合物为包覆层，采用先修饰SiO2内核再自组装包覆稀土配合物的方法，合成SiO2(500)@ Tb(phen‑Si)L (20)和 SiO2(500)@ Tb(phen‑Si)L (100)核‑壳型稀土纳米复合物。
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