[发明专利]互补电流场效应晶体管装置及放大器

摘要

本发明涉及新颖及发明性复合装置结构，从而实现利用亚阈值操作的基于电荷的方法，以用于设计模拟CMOS电路。确切地说，本发明涉及基于一对互补n型及p型电流场效应晶体管的固态装置，所述电流场效应晶体管中的每一个具有两个控制端口，亦即低阻端口和栅控端口，而常规固态装置具有一个控制端口，亦即栅控端口。这种新颖固态装置提供优于所述常规装置的各种改良。

主权项

1.一种固态装置，包括：a.第一互补场效应晶体管及第二互补场效应晶体管，各自包括源极和漏极，其中所述第一互补场效应晶体管的所述源极和所述漏极限定第一沟道且所述第二互补场效应晶体管的所述源极和所述漏极界定第二沟道；b.第一扩散即第一iPort，其将所述第一沟道划分为在所述第一互补场效应晶体管的所述源极与所述第一iPort之间的第一源极沟道段和在所述第一iPort与所述第一互补场效应晶体管的所述漏极之间的第一漏极沟道段，和第二扩散即第二iPort，其将所述第二沟道划分为在所述第二互补场效应晶体管的所述源极与所述第二iPort之间的第二源极沟道段和在所述第二iPort与所述第二互补场效应晶体管的所述漏极之间的第二漏极沟道段；c.共用栅极端口，其耦合到所述第一源极沟道段、所述第一漏极沟道段、所述第二源极沟道段以及所述第二漏极沟道段；以及d.共用漏极端口，其电连接到所述第一互补场效应晶体管的所述漏极和所述第二互补场效应晶体管的所述漏极。