[发明专利]用于使用激光加热基座生长来生产薄晶光纤的设备及方法在审
| 申请号： | 201580078149.4 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107429420A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | G·马克斯韦尔;B·庞廷 | 申请（专利权）人： | 夏士达水晶公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B13/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示用于经由光学加热来生长薄晶光纤的设备及方法。所述设备可包含且所述方法可采用光能源，其用于加热源材料以形成熔化源材料的熔融区；上光纤导轨，其用于沿着经界定平移轴将生长晶体光纤拉离所述熔融区；及下馈送导轨，其用于沿着经界定平移轴将额外源材料推向所述熔融区。对于某些此类设备及采用所述设备的所述方法，所述下馈送导轨的平移轴及上光纤导轨的平移轴大体上竖直且轴向对准，以在一些情况下在约5μm的水平容限内将所述源材料水平定位在从所述光能源发射的光能路径中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 激光 加热 基座 生长 生产 光纤 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于经由光学加热来生长薄晶光纤的设备，所述设备包括：光能源，其用于加热源材料以形成熔化源材料的熔融区；上光纤导轨，其用于沿着经界定平移轴将生长晶体光纤拉离所述熔融区，且由此还将与所述晶体光纤连接的未结晶熔化源材料撤离所述熔融区，使得熔化源材料可冷却、结晶且添加到所述生长晶体光纤；及下馈送导轨，其用于沿着经界定平移轴将额外源材料推向所述熔融区；其中所述下馈送导轨的平移轴及上光纤导轨的平移轴大体上竖直且轴向对准，以将所述源材料水平定位在从所述光能源发射的光能路径中。
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