[发明专利]用于动态地偏置振荡器以获得最优相位噪声的系统和方法在审
申请号: | 201580072692.3 | 申请日: | 2015-11-20 |
公开(公告)号: | CN107112948A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | M·塔奇万德;K·V·乔汉森 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华,张宁 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了用于偏置频率振荡器以最小化相位噪声的系统和方法。系统可以包括具有电感器、至少第一耦合电容器和第二耦合电容器的储能电路。系统可以进一步包括电耦合至第一耦合电容器和第二耦合电容器的变容二极管电路。系统可以进一步包括与储能电路和偏置电压并联电连接的至少一个第一金属氧化物半导体(MOS)器件。至少一个第一MOS器件可以电连接至第一栅极偏置电压,配置用于偏置至少一个第一MOS器件以使得至少一个第一MOS器件的第一栅极至源极电压保持低于第一阈值电压。 | ||
搜索关键词: | 用于 动态 偏置 振荡器 获得 最优 相位 噪声 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种频率振荡器,包括:储能电路,具有电感器、第一耦合电容器和第二耦合电容器;变容二极管电路,电耦合至所述第一耦合电容器和所述第二耦合电容器;第一MOS器件,具有第一栅极、第一漏极和第一源极,所述第一源极电耦合至所述变容二极管电路;第二MOS器件,具有第二栅极、第二漏极和第二源极,所述第二源极与所述第一源极相对地电耦合至所述变容二极管电路;第一输入,电耦合至所述第一漏极和所述第二漏极以接收第一偏置电压;以及第二输入,电耦合至所述第一栅极和所述第二栅极以接收第一栅极偏置电压。
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