[发明专利]嵌段共聚物的合成的方法和其在纳米光刻中的应用有效
| 申请号： | 201580068369.9 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107108824B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | C.纳瓦罗;C.尼科利特;X.舍瓦利耶 | 申请（专利权）人： | 阿科玛法国公司 |
| 主分类号： | C08F297/02 | 分类号： | C08F297/02;C09D153/00;G03F7/00;G03F7/004;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 控制包含至少两个嵌段的嵌段共聚物的合成的方法，所述至少两个嵌段包括至少一个非极性嵌段和至少一个极性嵌段，所述方法使得可特别地控制嵌段之间的比率和各嵌段的分子量，所述共聚物为意图通过直接自组装件(DSA)用作纳米光刻方法中的掩模的嵌段共聚物，所述控制是通过在非质子非极性介质中的半连续阴离子聚合实现的并且包括下列步骤：‑合成大分子引发剂形式的第一非极性嵌段，‑通过在非质子非极性溶剂中混合先前合成的大分子引发剂与碱金属醇盐而制备所述先前合成的大分子引发剂的溶液，‑在非质子非极性溶剂中制备极性单体的溶液，‑以恒定的流量比，将两种先前制备的大分子引发剂和极性单体的溶液注入连接至聚合反应器的微混合器中，‑收取所获得的共聚物。 | ||
| 搜索关键词： | 共聚物 合成 方法 纳米 光刻 中的 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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