[发明专利]功率场效应晶体管(FET)、预驱动器、控制器和感测电阻器的集成在审
| 申请号： | 201580066697.5 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN107006123A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | I·W·兰穆图 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/14 | 分类号： | H05K1/14 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵志刚,赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在用于将功率场效应晶体管(FET)、预驱动器、控制器和/或电阻器集成到公共多芯片封装中用于实现多相桥接电路的技术的所述实例中，所述技术可以提供具有至少两个高侧(HS)FET(80)和至少两个低侧(LS)FET(82、84、86)的多芯片封装(62)，并且将所述至少两个HS FET或所述至少LS FET放置在公共管芯(80)上。将至少两个FET放置在公共管芯上可以减少实现一组功率FET所需的管芯数量和热焊盘(即，管芯焊盘)数量，由此减少多相桥接电路的部件计数和/或允许获得更紧凑、更高电流密度的多相桥接电路，而不显著增加所述电路的热功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 场效应 晶体管 fet 驱动器 控制器 电阻器 集成 | ||
【主权项】：
一种多芯片封装，其包括：至少两个低侧场效应晶体管即LS FET；至少两个高侧FET即HS FET；以及管芯，其包括所述至少两个HS FET或所述至少两个LS FET。
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