[发明专利]度量方法、目标和衬底有效
| 申请号： | 201580056531.5 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN107148597B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | K·布哈塔查里亚;H·W·M·范布尔;C·D·富凯;H·J·H·斯米尔德;M·范德沙;A·J·登博夫;R·J·F·范哈伦;柳星兰;J·M·M·贝尔特曼;A·富克斯;O·A·O·亚达姆;M·库比斯;M·J·J·加克 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。 | ||
| 搜索关键词： | 度量 方法 目标 衬底 | ||
【主权项】：
一种测量光刻工艺的参数的方法，所述方法包括：用辐射照射衬底上的衍射测量目标，所述测量目标包括至少第一子目标和至少第二子目标，其中所述第一子目标和所述第二子目标均包括成对的周期性结构，以及其中所述第一子目标具有与所述第二子目标不同的设计，所述不同的设计包括与第二子目标周期性结构相比具有不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割的第一子目标周期性结构；以及检测由至少所述第一子目标和所述第二子目标散射的辐射，以针对该目标获得表示所述光刻工艺的参数的测量结果。
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