[发明专利]装置的光刻图案化在审
| 申请号： | 201580053600.7 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107111254A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 约翰·安德鲁·德弗兰科;查尔斯·沃伦·赖特;道格拉斯·罗贝特·罗贝洛;弗兰克·沙维尔·伯恩;黛安娜·卡罗尔·弗里曼;特伦斯·罗伯特·欧图尔 | 申请（专利权）人： | 正交公司 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,高世豪 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造装置的方法包括在具有用于图案化的一个或更多个目标区域的装置基底上提供氟化材料层。通过与包含氟化溶剂的显影剂接触，至少部分地通过使与所述一个或更多个目标区域对准的所述氟化材料层中的一个或更多个开口区域的第一图案显影，形成一个或更多个剥离结构，其中所述显影剂以第一速率溶解所述氟化材料。在图案化后，通过与包含氟化溶剂的剥离剂接触来移除所述一个或更多个剥离结构，其中所述剥离剂以至少为150nm/秒且高于所述第一速率的第二速率溶解所述氟化材料。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 光刻 图案 | ||
【主权项】：
一种制造装置的方法，包括：a)提供具有用于图案化的一个或更多个目标区域的装置基底；b)在所述装置基底上提供氟化材料层；c)通过与包含氟化溶剂的显影剂接触，至少部分地通过使与所述一个或更多个目标区域对准的所述氟化材料层中的一个或更多个开口区域的第一图案显影，形成一个或更多个剥离结构，其中所述显影剂以第一速率溶解所述氟化材料；d)将所述装置基底图案化，包括：i)使用所述一个或更多个剥离结构作为蚀刻掩模来蚀刻所述一个或更多个目标区域的至少一部分，ii)通过开口区域的所述第一图案在所述一个或更多个目标区域上沉积一个或更多个活性材料层，或者i)和ii)两者；以及e)通过与包含氟化溶剂的剥离剂接触来移除所述一个或更多个剥离结构，其中所述剥离剂以至少为150nm/秒且高于所述第一速率的第二速率溶解所述氟化材料。
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