[发明专利]图案形成方法、上层膜形成用组合物、抗蚀剂图案及电子元件的制造方法有效
| 申请号： | 201580052504.0 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106796401B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 后藤研由;井上尚纪;山本庆;丹呉直纮;白川三千纮 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;G03F7/32;G03F7/38;H01L21/027;G03F7/038;G03F7/039 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种DOF、EL及水渍缺陷性能良好的图案形成方法、利用所述图案形成方法而形成的抗蚀剂图案、所述图案形成方法中使用的上层膜形成用组合物、以及包含所述图案形成方法的电子元件的制造方法。所述图案形成方法包括：步骤a，将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成抗蚀剂膜；步骤b，通过在所述抗蚀剂膜上涂布上层膜形成用组合物，而在所述抗蚀剂膜上形成上层膜；步骤c，对形成有所述上层膜的所述抗蚀剂膜进行曝光；以及步骤d，使用包含有机溶剂的显影液，对经所述曝光的所述抗蚀剂膜进行显影而形成图案；并且所述上层膜的表面的水的后退接触角为80°以上。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 上层 组合 抗蚀剂 电子元件 制造 | ||
【主权项】：
一种图案形成方法，其包括：步骤a，将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成抗蚀剂膜；步骤b，通过在所述抗蚀剂膜上涂布上层膜形成用组合物，而在所述抗蚀剂膜上形成上层膜；步骤c，对形成有所述上层膜的所述抗蚀剂膜进行曝光；以及步骤d，使用包含有机溶剂的显影液，对经所述曝光的所述抗蚀剂膜进行显影而形成图案；并且所述上层膜的表面的水的后退接触角为80°以上。
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