[发明专利]用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法和系统

摘要

本发明包括一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其中所述方法包括：使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴转动；从至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，以便形成包含具有不同条纹间距的干涉条纹的两个测量空间；收集由所述晶片的表面散射的光束；获取所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号；检测所述信号中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量空间的时间特征；基于为每一个测量空间确定的可见度来为每一个检测到的特征确定被称为缺陷可见度的参数；获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息；交叉检查对于每一个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的大小。

主权项

1.一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法，包括：‑使晶片绕与所述晶片的主表面垂直的对称轴转动；‑从与干涉装置耦接的至少一个光源发射至少两对入射相干光束，每对布置为在两条光束之间的交叉处形成相应的测量空间，所述测量空间包含干涉条纹，具有与另一测量空间的条纹间距不同的条纹间距；在所述晶片的转动期间，所述晶片的主表面的至少一部分通过所述测量空间中的每一个；‑收集由所述晶片的主表面的所述部分散射的光的至少一部分；‑捕获所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间的变化的电信号；‑在所述电信号中，检测所述所收集的光的光强度的变化中的频率分量，所述频率分量是缺陷通过相应测量空间的时间特征；‑对于每个检测到的时间特征，确定取决于所述相应测量空间的条纹间距和所述缺陷尺寸、被称为缺陷可见度的参数，所述被称为缺陷可见度的参数由基于由于缺陷通过所述测量空间产生的多普勒信号来确定的以下公式给出，并表示为随时间变化的电压形式：其中Imax和Imin定义限定所述多普勒信号的峰值的最小电压和最大电压，并且Offset是所述多普勒信号的平均值和对应于零电压的轴之间的偏移；‑基于针对每个测量空间确定的可见度，获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息；以及‑交叉检查针对每个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的尺寸。