[发明专利]差分晶体振荡器电路在审
| 申请号： | 201580038394.2 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106664058A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | Y·拉亚维;A·卡沃西恩;A·科哈利利;M·B·瓦希德法尔;A·科米加尼 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/06 | 分类号： | H03B5/06;H03B5/36 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种差分晶体振荡器电路，包括第一输出端子和第二输出端子；包括交叉耦合至第一输出端子和第二输出端子的第一和第二晶体管的交叉耦合的振荡单元；第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)二极管，每个MOSFET二极管包括连接在栅极和漏极端子之间的电阻器，其中第一MOSFET二极管耦合至第一晶体管以向第一晶体管提供在低频时低阻抗负载和在高频时高阻抗负载，其中第二MOSFET二极管耦合至第二晶体管以向第二晶体管提供在低频时低阻抗负载和在高频时高阻抗负载；以及耦合在第一输出端子和第二输出端子之间以建立振荡频率的参考谐振器。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体振荡器 电路 | ||
【主权项】：
一种差分晶体振荡器电路，包括：第一输出端子和第二输出端子；交叉耦合的振荡单元，包括交叉耦合至所述第一输出端子和所述第二输出端子的第一晶体管和第二晶体管；第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)二极管和第二金属氧化物半导体场效应晶体管二极管，每个MOSFET二极管包括连接在栅极端子和漏极端子之间的电阻器，其中所述第一MOSFET二极管耦合至所述第一晶体管以向所述第一晶体管提供在低频时的低阻抗负载和在较高频时的高阻抗负载，其中所述第二MOSFET二极管耦合至所述第二晶体管以向所述第二晶体管提供在低频时的低阻抗负载和在较高频时的高阻抗负载；以及参考谐振器，耦合在所述第一输出端子和所述第二输出端子之间以建立振荡频率。
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