[发明专利]用于磁性随机存取存储器(MRAM)单元的切换膜结构有效
| 申请号： | 201580038132.6 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN106537508B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | X·李;W-C·陈;Y·陆;K·李;S·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MRAM单元可包括磁性隧穿结(MTJ)。该MTJ包括销钉层、阻挡层、自由层和覆盖层。该MRAM单元进一步包括双向二极管选择器，该双向二极管选择器直接耦合到MTJ的电极，以实现对MTJ的存取。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁性 随机存取存储器 mram 单元 切换 膜结构 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存取存储器MRAM单元，包括：磁性隧穿结MTJ，所述MTJ包括销钉层、阻挡层、自由层和覆盖层；以及双向二极管选择器，所述双向二极管选择器包括直接耦合到所述销钉层的选择器电极以及直接耦合到所述MTJ的所述覆盖层的选择器层，以实现对所述MTJ的存取，其中，所述选择器层具有为所述MRAM单元提供读和切换功能的非线性I‑V行为。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580038132.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
