[发明专利]包括片状不连续元件的蓄电系统、片状不连续元件及其制造方法和应用有效
| 申请号： | 201580034119.3 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106463659B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | U·普切尔特;R·理拜德;M·孔泽;T·达姆;C·欧特曼;N·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 肖特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M2/02 | 分类号： | H01M2/02;H01M2/08;H01M10/04;H01M10/0585;C03C3/11;C03C3/085;H01M6/40;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙) 11418 | 代理人： | 彭臻臻;赵飞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括至少一个不连续的片状元件的蓄电系统及其制造，该片状元件对于优选在200至400nm波长范围内的高能量的电磁辐射具有特别低的透射度；本发明还涉及一种不连续的片状元件及其制造，该片状元件对于优选在200至400nm波长范围内的高能量的电磁辐射具有特别低的透射度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 片状 连续 元件 系统 及其 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种蓄电系统，所述蓄电系统包括至少一个片状不连续元件，所述片状不连续元件特别在30μm的厚度下具有这样的透过率：在200nm至270nm的范围内20％或更小的透过率，和/或特别优选在222nm时2.0％或更小的透过率，特别优选在248nm时1.0％或更小的透过率，特别优选在282nm时50％或更小的透过率，特别优选在308nm时85％或更小的透过率，以及特别优选在351nm时92％或更小的透过率；并且特别在100μm的厚度下具有这样的透过率：在200至270nm范围内为3％或更小的透过率，和/或特别优选在222nm时为3.0％或更小的透过率，特别优选在248nm时为3.0％或更小的透过率，特别优选在282nm时为20％或更小的透过率，特别优选在308nm时为75％或更小的透过率，并且特别优选在351nm时为92％或更小的透过率。
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