[发明专利]包括片状不连续元件的蓄电系统、片状不连续元件及其制造方法和应用在审
| 申请号： | 201580033824.1 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106463658A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | U·普切尔特;R·理拜德;M·孔泽;T·达姆;C·欧特曼;N·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 肖特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M2/02 | 分类号： | H01M2/02;H01M2/08;H01M4/131;H01M4/525;H01M4/66;H01M6/40;H01M10/04;H01M10/0585;C03C3/078;C03C3/087;C03C3/091;C03C3/093;C03C3/095 |
| 代理公司： | 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙)11418 | 代理人： | 赵飞;郭红丽 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括至少一个片状不连续元件的蓄电系统，所述至少一个片状不连续元件具有对于高能电辐射而言提高的透明度；以及涉及一种片状不连续元件，所述片状不连续元件对于高能电辐射而言具有提高的透明度；以及涉及所述片状不连续元件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 片状 连续 元件 系统 及其 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种包括至少一个片状不连续元件的蓄电系统，所述片状不连续元件尤其在30μm厚度时具有在200nm至270nm的范围内的0.1％或更大的透射率和/或具有特别优选在222nm时大于0.5％的透射率、特别优选在248nm时大于0.3％的透射率、特别优选在282nm时大于3％的透射率、特别优选在308nm时大于50％的透射率并且特别优选在351nm时大于88％的透射率；以及尤其在100μm厚度时具有在200nm至270nm的范围内的0.1％或更大的透射率和/或尤其在222nm时大于0.5％的透射率、特别优选在248nm时大于0.3％的透射率、特别优选在282nm时大于0.1％的透射率、特别优选在308nm时大于30％的透射率并且特别优选在351nm时大于88％的透射率。
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