[发明专利]耐等离子体性构件有效
| 申请号： | 201580033596.8 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN106460190B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 岩泽顺一 | 申请（专利权）人： | TOTO株式会社 |
| 主分类号： | C23C24/04 | 分类号： | C23C24/04;C04B41/87 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周善来;王玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种耐等离子体性构件，其特征在于，具备基材及层状结构物，层状结构物含有用气溶胶沉积法在前述基材表面形成的三氧化二钇多晶体并具有耐等离子体性，构成前述层状结构物的三氧化二钇多晶体具有立方晶和单斜晶混合存在的晶体结构，在构成前述层状结构物的三氧化二钇多晶体中，单斜晶相对于立方晶的比例为0％以上、60％以下，构成前述层状结构物的三氧化二钇多晶体的微晶尺寸为8nm以上、50nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 体性 构件 | ||
【主权项】：
1.一种耐等离子体性构件，其特征在于，具备：基材；及层状结构物，含有用气溶胶沉积法在所述基材表面形成的三氧化二钇多晶体并具有耐等离子体性，构成所述层状结构物的三氧化二钇多晶体具有立方晶和单斜晶混合存在的晶体结构，在构成所述层状结构物的三氧化二钇多晶体中，单斜晶相对于立方晶的比例为0％以上、60％以下，构成所述层状结构物的三氧化二钇多晶体的微晶尺寸为8nm以上、50nm以下，在构成所述层状结构物的三氧化二钇多晶体中，相互邻接的微晶之间的间隔为0nm以上、小于10nm，在构成所述层状结构物的三氧化二钇多晶体中，氧O原子数浓度相对于钇Y原子数浓度的比O/Y为1.3以上、1.8以下。
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