[发明专利]场效应晶体管和相关的故障检测装置有效
申请号: | 201580033123.8 | 申请日: | 2015-05-26 |
公开(公告)号: | CN106461723B | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 弗朗索瓦·塔韦尼亚;皮埃尔·佩里雄 | 申请(专利权)人: | 雷诺有限合伙公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
地址: | 法国布洛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种电子装置(9),其包括:‑常开型场效应功率晶体管(11),其包括控制电极(111)和第一及第二导通电极(112、113);‑控制电路(21),其包括连接到控制电极的电阻元件(211),该控制电路被配置为用于通过电阻元件将晶体管的阻断电势施加到控制电极,所述阻断电势低于第一和第二导通电极的电势;‑用于检测第一和第二导通电极之间的短路的检测电路(31),其被配置为用于在晶体管的阻断期间测量控制电极的电势,以便将所测量到的电势与参考电势进行比较,并且根据该比较的结果生成故障信号。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 相关 故障 检测 装置 | ||
【主权项】:
一种电子装置(9),其特征在于,所述电子装置(9)包括:‑常开型场效应功率晶体管(11),其包括栅极(111)、源极和漏极(112、113);‑控制电路(21),其包括连接到控制电极的电阻元件(211),所述控制电路被配置为用于通过所述电阻元件将所述晶体管的阻断电势施加到所述栅极,所述阻断电势小于所述源极和所述漏极的电势;‑用于检测所述栅极和所述源极之间的漏电流以便预测所述源极和所述漏极之间的短路的检测电路(31),其被配置为用于在所述晶体管的阻断期间测量所述栅极的电势,将所测量到的电势与参考电势进行比较,并且根据该比较的结果生成异常信号。
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