[发明专利]硅在纳米线上的结构受控的沉积有效
| 申请号： | 201580032057.2 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106663786B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王维洁;刘祖琴;韩松;J·博恩斯坦;C·I·斯蒂芬 | 申请（专利权）人： | 安普瑞斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/1395;H01M10/052 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本文中提供了用于锂离子蓄电池电极的纳米结构及制作方法。在一些实施方案中，提供了涂覆有硅涂层的纳米结构模板。该桂图层可包括非共形的更加多孔的层和该非共形的更加多孔的层上的共形的致密层。在一些实施方案中，使用了两种不同的沉积工艺，例如使用PECVD层来沉积该非共形的层并且使用热CVD工艺来沉积该共形的层。包括该纳米结构的阳极具有比使用单独PECVD工艺或热CVD方法制作的阳极长的循环寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 线上 结构 受控 沉积 | ||
【主权项】：
用于锂蓄电池的阳极，其包含：a)基材；b)固着于该基材的纳米线模板；c)基本上涂覆该纳米线模板的第一硅层，该第一硅层具有第一密度；和d)该第一硅层和任何暴露的纳米线模板上方的第二硅层，该第二硅层具有的密度高于该第一硅层的密度。
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